外腔中半导体二极管激光阵列的高阶侧模锁定

？理论分析了外腔较短情况下，宽条半导体二极管激光阵列（lda）高阶侧模相位锁定的可能性,观察了包含主、旁瓣结构的多侧模远场光强分布。从实验记录结果可以看出，在旁瓣中出现了标志锁相的峰、谷结构，而且该结构的调制度明显高于主瓣中的峰、谷结构的调制度,结果表明：在外腔较短情况下，lda高阶侧模相位锁定的现象是存在的。