266nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟

？基于stillinger-weber(sw)势和“x-分区”模型，用分子动力学方法模拟了266nm飞秒激光烧蚀单晶硅的过程，给出了烧蚀过程的物理图像，烧蚀过程中材料内部缺陷的产生与发展最终导致整层材料被移除。对比研究了烧蚀材料中不同区域粒子的运动轨迹，结果体现了在固、液、气不同状态下粒子的运动特征。模拟了激光诱导应力波的传播，其速度为8.18km/s。