多孔硅阵列结构的形貌研究

？采用电化学腐蚀方法分别在hf+异丙醇（ipa）和hf+ipa+十六烷基三甲基氯化铵（catc）溶液中制备多孔硅结构阵列，分别讨论hf酸浓度、ctac、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明：在质量分数40%hf,h2o,ipa的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列；腐蚀电流密度越大，孔壁越薄；初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10μm，在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔。ctac的加入会使孔壁上刻蚀出小孔，并随着ctac的增加，小孔的孔径减小，数量增加。