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Keywords: 激光器阵列,纳秒脉冲技术,半导体光导开关,半导体激光,高功率微波
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?报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约0.7~5ns,近场光斑面积约100mm×6mm;已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体光导开关阵列。报导一种提高光脉冲重复率的方法—双脉冲序列法。用该方法使激光脉冲等效重复率达约100mhz;介绍一种使激光器阵列输出光斑中光能均匀分布的多光束叠加方案。
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