gaas:cr探测器对聚变脉冲中子诊断的灵敏度研究

？介绍了国产gaas:cr光电导探测器(简称pcd)在dt聚变中子辐射脉冲测量中的应用，利用pin探测系统绝对测量结果，获得了gaas:crpcd的14.1mev中子直照灵敏度是1.5×10-20ccm2/mm3，测量误差为±18%。此结果与理论预估和国外报道在误差内符合。