阵列碳纳米管的石墨化程度

？采用化学气相沉积法制备了阵列碳纳米管薄膜，对阵列碳纳米管的石墨化程度进行了系统研究。利用扫描电子显微镜(sem)、拉曼光谱(raman)对样品形貌以及结构进行了表征。探讨了不同实验参数对阵列碳纳米管石墨化程度影响的机理。结果发现，在一定催化剂浓度范围内，催化剂浓度过低时，阵列碳纳米管的石墨化程度较差，而随着催化剂浓度的增加，阵列碳纳米管的石墨化程度逐渐变好；生长石墨化程度较好的阵列碳纳米管需要合适的进液速度，进液速度过低或过高都会使得碳纳米管的石墨化程度变差；此外，生长石墨化程度较好的阵列碳纳米管也需要合适的生长温度，生长温度过低或过高都会使得碳纳米管的石墨化程度变差。