m带高能光子对发射谱诊断辐射场温度的影响

？在稳态近似下通过求解速率方程分别计算了有无m带高能光子存在下，不同温度密度下cl等离子体的离化度分布以及发射谱，研究了高能光子对等离子体发射谱的影响。研究发现:腔内混有的少量m带高能光子几乎不影响等离子体中重要的离化度分布，但是会激发或者电离各种离子的内壳层电子，从而对发射谱产生重要的影响。因此有m带高能光子存在时，用发射谱诊断等离子体温度时需要同时考虑温度、密度和m带高能光子对发射谱的影响。