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ISSN: 2333-9721
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中红外高能激光探测单元

, PP. 1306-1310

Keywords: 高能激光,p型光导,insb探测器,暗电阻,光谱响应率,光谱探测率

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Abstract:

?基于光电导探测原理,分析了影响室温光导型insb探测器在中红外激光功率参数测量中的因素,得到了材料掺杂数密度、环境温度对探测器暗电阻、光谱响应率和光谱探测率的影响规律;开展了探测器在强激光辐照下的热效应理论模拟和实验研究,模拟分析了探测器在激光辐照下的动态响应特性。结果表明:针对测量系统中所使用的探测器,在激光功率密度小于4w/cm2时,激光热效应对测量结果的影响可忽略;研制了相应的恒流源驱动电路,实现了中红外高能激光功率参数的探测。

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