4h-sic肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

？在研究反偏压4h-sic肖特基二极管作为g射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型，模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于au/sic肖特基二极管，有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时，0v偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9c/gy，100v偏压下为24.5×10-9c/gy。计算结果与实验数据符合得较好。