半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验

？着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级，从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为10-7cm2·bit-11量级，单粒子翻转重离子let阈值为4～8mev·cm2/mg，重离子单粒子翻转饱和截面为10-7cm2·bit-1量级。