基区表面势对栅控横向pnp晶体管中子位移损伤的影响

？通过在常规横向pnp晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极，制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向pnp晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10v和10v的栅控横向pnp晶体管，在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012，1×1013cm-2的中子辐照实验，研究基区表面势的增加和降低对栅控横向pnp晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明，基区表面势的增加引起栅控横向pnp晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加，基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。