大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究

？利用金属有机物气相淀积生长了980nmgaas/algaas分别限制应变单量子阱激光器物质，通过常规工艺制成国际标准的1cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系，对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验，发现在不超过有源层的前提下，输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比，阈值电流与隔离槽深度成反比，隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降，从而最佳腐蚀深度应不超过有源层，本实验为1.993mm。