非对称结构大功率940nm量子阱激光器

？为改善940nm大功率ingaas/gaas半导体激光器输出特性，通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布，并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积（lp-mocvd）生长技术，获得了低内吸收系数的高质量外延材料，通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44mm-1。进而通过管芯工艺制作了条宽100μm、腔长2000μm的940nm半导体激光器器件。25℃室温10a直流连续（cw）测试镀膜后器件阈值电流251ma，斜率效率1.22w/a，最大输出功率达到9.6w，最大光电转化效率超过70%。