60kev质子辐照对tini记忆合金薄膜马氏体相变的影响

？利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶si基片上制备了tini形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位x射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60kev质子注入（辐照）薄膜样品研究了h+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始ms和结束点mf以及逆马氏体相变开始as和结束温度af的下降，而对r相变开始rs和结束温度rf影响不大。掠入射x射线衍射表明h+离子注入后有氢化物形成。h+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。