nd薄膜靶表面氧化过程研究

？用auger电子能谱（aes）对x光激光实验使用的nd薄膜靶的表面氧化进行了分析，结合ar离子束刻蚀进行元素的深度分布剖析，得到了表面氧化层厚度，所得结果与rutherford背散射（rbs）方法测量的结果相吻合。实验表明，样品暴露在空气中20至30min，氧化即基本达到饱和，相应的氧化层厚度约为20nm，氧化层的组分以ndo为主。