bepcⅱ正电子环真空度随流强的非线性变化

？观察发现负电子环的真空度随流强呈线性变化，正电子环的真空度随流强呈非线性变化，在正电子环的弧区，真空度的非线性变化很明显。讨论了非线性变化的原因，可能是同步光电子在正电子束流横向作用下加速碰壁，发生了二次电子发射，并在一定条件下形成了束流引起的多次碰壁效应，造成了大量放气。改变正电子束流的束团填充方式来观察真空度的非线性变化，得到了与kek-b低能环一致的实验结果，该非线性变化呈现一定的阈值性，发生非线性的条件是有足够大的单束团流强和每列足够多的连续束团。