中子单粒子效应tcad仿真

？分析了核裂变与聚变情况下，典型能量的中子与半导体器件反应，所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况，讨论了65nm工艺尺寸下，半导体静态存储器的单粒子效应，并给出了tcad仿真的结果。结果显示，商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生。双互锁存储单元（dice）结构在高密度设计时，也由于电荷共享效应，发生了单粒子翻转。由于电荷共享效应难以用spice仿真的方法得到，tcad仿真更适用于中子单粒子免疫的sram设计验证。最后，讨论了65nm工艺下，中子单粒子免疫的sram设计，指出6管单元加电容的方式，可能是更有竞争力的方案。