采用空心阴极放电等离子体化学气相沉积方法制备a-ch薄膜

？研究了不同衬底-阴极距离、直流电压和h2流量对a-ch薄膜沉积速率的影响。结果表明：衬底-阴极距离必须大于0.5cm，随着该距离的增加，薄膜的沉积速率减少；直流电压达550v时沉积速率最大；随着h2含量的增加，ch4含量相对减少，沉积速率随之降低。用afm观察了以该方法制得的448.4nmch薄膜的表面形貌，表面粗糙度约为10nm。最后测出了不同条件下ch薄膜的uv-vis谱，由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率。