激光辐照insb(pv)型探测器的热损伤

？在建立高斯型连续激光辐照insb(pv)型探测器物理模型的基础上，采用近似解析解的形式计算了圆柱形insb靶板的2维温度场。通过数值分析得出了在激光辐照时，insb(pv)型探测器的温升与时间的关系，并计算出相应的损伤阈值。研究表明：在强激光连续辐照下，半导体材料insb会发生熔融损伤，且最早发生于迎光面的光斑中心，激光的功率密度越高，造成破坏所需要的时间越短；对于一定厚度胶层的insb(pv)型探测器，只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤，越薄的胶层对应的损伤阈值越大。为了增加insb(pv)型探测器抗激光辐照能力，应该减小胶层厚度。采用该理论计算得到不同功率下的insb熔融时间为1.57s和4.54s，与实验得到的2s和4~5s基本吻合。