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?基于半导体光电导的基本物理现象,利用激光束在集成电路器件表面的扫掠,可测出诱导的光电流变化.通过微机信息处理系统可研究器件表面沟道或反型层、p-n结的局部击穿,cmos(互补金属氧化物半导体器件)随机存贮器的锁位现象,还可进行运算放大器可靠性和超大规模集成电路逻辑状态的分析等.
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