阻热法引上生长nd:yag时界面转换前后出现的组分过冷和位错增殖现象

？一、引言众所周知，平坦界面有利于抑制小晶面（核心和侧心）和位错的形成，是获得无缺陷单晶的基本条件［１］．但晶体中已存在的位错则会延伸到晶体下部去．而在凸界面情况下，位错会沿大致垂直生长界面的方向伸展，最后排除于表面［２，３］．但凸界面本身容易产生核心和其它缺陷［１］．为综合平、凸界面各自的优点，有人已用变转速办法得到了无核心无位错的ｇｇｇ单晶（引晶放肩时用低转速凸界面排位锗，然后用高转速平界?...