硅基混合集成技术的研究进展

？硅基光电子集成技术(pics)为高速宽带光互连和光通信的发展提供了一种低成本的有效方案，受到人们的高度重视.目前将iii-v族和锗等半导体化合物集成到硅衬底的方法主要分为两类异质结外延生长和异质材料的键合.低温下晶片键合的方法克服了异质结外延生长中的生长温度高、晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点，为大规模的异质（不同半导体材料）集成提供了可能.文章综述了近几年来一些常用的键合方法，并对低温键合方法的发展动向做了展望.