gaas、si的外逸电子发射探测

？外逸电子（ｅｘｏｅｌｅｃｔｒｏｎ）是一新材料，它系指从材料表面发射的低能电子．金属、半导体、介质在辐照、轰击、变形、相变、氧化和吸附等作用下能自发射低能电子［１－３］．若在光、热的激发下外逸电子发射就更加明显，前者激发的电子称为光激外逸电子发射（ｏｓｅｅ），后者称为热激外逸电子发射（ｔｓｅｅ）．但两者皆并非热电子和光电子．因为热电子要在相当高的温度下才能激发（一般要在７００°ｃ－２０００°ｃ?...