测量半导体中深中心分布的双相关技术

？自１９７４年ｄ．ｖ．ｌａｎｇ［１］提出深能级瞬态谱技术（ｄｌｔｓ）以来，ｄｌｔｓ已经成为研究半导体中深能级杂质，缺陷（以下统称深中心）的物理性质的广泛使用的有效手段．例如，通过ｄｌｔｓ测量可以得到深中心的浓度、俘获截面、能级位置等．１９７７年ｈ．ｌｅｆｅｖｅ和ｍ．ｓｃｈｕｌｚ［２］提出了双相关ｄｌｔｓ技术（ｄｄｌｔｓ），采用ｄｄｌｔｓ技术可以方便地测量半导体中深中心的分布．测量半导体中深中心?...