采用直接外延方法生长的量子线结构及其光学性质

？本文介绍利用分子束外延方法在ｇａａｓ的某些特殊表面上原位直接生长ｇａａｓ／ａｌａｓ量子线结构的几种方法，包括采用（３１１）等高指数面、（００１）邻晶面以及（１１０）解理面二次生长，着重讨论量子线结构的形成机理及其光学特性。这些方法能避开目前纳米尺度刻蚀技术的困难，可能成为制备低维结构的有希望的途径。