kh2po4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应

？研究了非线性光学晶体材料kh2po4(kdp)中不同带电状态的h缺陷的稳定性及其反应.从而以清晰的物理图像描绘了kdp材料暴露在强紫外线或x射线下性能下降的原因.研究发现，对于h间隙原子，当增加一个电子时，h间隙原子与主h原子发生作用，形成间隙h2分子并产生一个h空位，而增加一个空穴时h间隙原子与临近的主o原子形成氢氧键，这两种带电态的h间隙原子均切断kdp材料中形成网络的氢键；对于h空位，增加一个空穴将导致形成"过氧化氢"桥结构.这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机制.