砷化镓光电发射的初步研究

？一、前言最近，ⅲ－ⅴ族化合物作为光电发射体引起人们的重视．早在１９６５年，舍尔（ｊ．ｊ．ｓｃｈｅｅｒ）和拉尔（ｊｖａｎ．ｌａａｒ）［１］发表了一种ｇａａｓ－ｃｓ新型光电发射材料，在超高真空下劈裂一块ｐ型重掺ｃａａｓ单晶并进行艳化处理，其灵敏度达到５００微安／流明．在詹姆士（ｌ，ｗ．ｊａｍｅｓ）［２］等人的实验中，另加了氧铯层，结果比单独用铯所得的效率高．上述实验证明ｐ型ｇａａｓ－ｃｓ和ｇａａ?...