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ISSN: 2333-9721
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物理  1984 

lsi工艺和失效机理的电镜分析

, PP. 0-0

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Abstract:

?一、剖面分析技术剖面分析对确切地了解器件纵向结构参数,配合工艺研究是十分重要的.lsi(大规模集成电路)研制工艺是综合性很强的技术,它的工序多,工艺严格而复杂,要求可靠性高.例如,64k位ram(随机存贮器)就需要三层多晶硅工艺.虽然研制者可以按预定要求来控制工艺条件,但是实际结果必须由测试分析来判断.由于受光学显微镜分辨率的限制,无法测量这么多层次的显微结构,通常只能用电学测试进行判定.利?...

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