集成电路中的物理问题讲座——第九讲光电子与俄歇电子在x射线光刻中的影响

？自从１９７２年ｓｐｅａｒｓ与ｓｍｉｔｈ[１］首先发表了ｘ射线光刻的论文以来，美、日、西德和法国等都将ｘ射线光刻列入超大规模集成电路的光刻工艺之一．美国贝尔电话公司已将ｘ射线光刻机用于中间性生产线，做出了０．３０μｍ的短沟道的ｍｏｓ器件[２］ｘ射线光刻受到重视的原因是（１）最高分辨率可以做到为５０ａ；（２）光刻的质量较用其它光刻技术好，表现在光刻后光刻胶的剖面图形的高度与宽度之比可达１５１．?...