gaas-绝缘薄膜界面和金属-绝缘薄膜-半导体(mis)结的特性

？对ｓｉ－ｓｉｏ２系统广泛而深入的研究和器件的平面技术的发展，导致了ｓｉ金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ｍｏｓｐｅｔ）及其集成电路（ｉｃ）的辉煌成就．ｇａａｓ的电子迁移率比ｓｉ高五倍多，预期ｇａａｓ金属－绝缘薄膜－半导体场效应晶体管（ｍｉｓｆｅｔ）可工作于更高频率，其ｉｃ可应用于更高速度．以往十多年，对ｇａａｓ－绝缘薄膜界面和ｍｉｓ结的特性进行了研究（见文献［１］），取得了一定成果，但因研究?...