离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能.测量结果表明,镀碳钼栅的电子发射量显著减少.依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果,初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制.