重掺杂低位错锗单晶生长及其微观缺陷研究

采用改进的提拉法，在负压条件下，通过程序自动控制生长重掺杂低位错锗单晶，在分析锗单晶重掺杂及掺杂量计算的基础上，开展了一系列工艺试验研究，并对重掺杂锗单晶的微观缺陷进行观测和分析。结果表明，采用改进的CZ法，可以生长出低位错高品质重掺杂锗单晶，位错密度小于1000cm－2，满足红外光学及半导体器件使用要求。