高性能弹用碲镉汞红外焦平面读出电路

研制出一种高性能弹用凝视型碲镉汞（MCT）中波红外焦平面CMOS读出电路（ROIC）芯片。读出电路采用快照（Snapshot）积分模式，具有积分后读出（ITR）、积分同时读出（IWR）、长/短帧组合（COMBINED）积分和长/短帧插入（INTERLACED）积分4种模式可选功能，有效解决高灵敏度和大动态范围的矛盾；其他特征包括抗晕、多级增益可选、串口功能控制，以及全芯片电注入测试功能。该读出电路采用0.35？mDPTM标准CMOS工艺，工作电压5.0V。测试结果体现了良好的性能：在77K条件下，全帧频可到250Hz（插入积分模式），功耗典型值为20mW。