OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用:99美元
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非均匀高掺杂对透射式光电阴极光电发射性能影响研究
DOI: 10.11846/j.issn.1001_8891.201405016, PP. 419-423
Keywords: 透射式光电阴极,幂函数掺杂,量子效率,微光夜视
Abstract:
研究分析了高掺杂浓度下幂函数掺杂阴极发射层内部形成恒定电场情况,探讨了光电阴极发射层材料内部形成恒定电场对提高透射式光电阴极量子效率中有效电子输运长度、表面电子逸出几率等参量的影响。结合掺杂浓度不同带来的光电子散射问题,对比讨论了传统的均匀掺杂、指数掺杂、幂函数掺杂情况下发射层材料量子效率情况。
References
[1] | ?邹继军, 常本康, 杨智. 指数掺杂GaAs光电阴极量子效率的理论计算[J]. 物理学报, 2007, 56(5):2992-2997. [2] ?叶良修. 半导体物理学上册[M]. 2版. 北京: 高等教育出版社, 2007. [3] ?叶良修. 半导体物理学下册[M]. 2版. 北京: 高等教育出版社, 2009. [4] ?刘元霞, 王仲春, 董亚强. 电子发射与光电阴极[M]. 北京: 北京理工大学出版社, 1995. [5] ?邹异松, 刘玉凤, 白廷柱. 光电成像原理[M]. 北京: 北京理工大学出版社, 1996. [6] ?刘恩科, 朱秉升, 罗晋生. 半导体物理学[M]. 7版, 北京: 电子工业出版社, 2008. [7] ?李辉. GaAs光电阴极材料光电压谱测试技术研究[D]. 南京理工大学, 2008:1-61. [8] ?J.S. Escher, P.E. Gregory, S.Y. Hyder, et al. Photoelectric Imaging in the 0.9-1.6 Micron Range[J]. IEEE Electron Device Letters, 1981, EDL-2(5): 123-125. ? [9] ?Estrera, S.Lambert, K.T.Passmore, D.L.Phillips. et al. Development of a 1 to 1.7um image intensifier Tube using a Generation III configuration[C]//Proc.of SPIE, 1952: 258-266. ?? [10] ?周立伟. 夜视像增强器(蓝光延伸与近红外延伸光电阴极)的近期进展[J]. 光学技术, 1998(3): 18-27.? [11] ?V. Sachno, A. Dolgyh, V. Loctionov. Image Intensifier Tube(I2) with 1.06?m InGaAs-photocathode[C]//18th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices.Proc of SPIE, 2005, 5834. [12] ?Bin Ren, Feng Shi, Hong-chang Cheng, et al. Development of a near infrared image intensifier using a generation III configuration[C] //Proc.SPIE. 2011, 8194: 81943A.? [13] ?邹继军, 高频, 杨智, 等. 发射层厚度对反射式GaAs光电阴极性能的影响[J]. 光子学报, 2008, 37(6): 1112-1115. [14] ?Hamid Z. Fardi and Gita Alaghband. Simulation of hot electron effect in negative-electron-affinity GaN pn junction diodes[C]//Physics and Simulation of Optoelectronic Devices X, Proceedings of SPIE, 2002, 4646. [15] ?zoujijun. Gradient-doping negative electron af?nity GaAs photo- cathodes[J]. Optical Engineering, 2006, 45(5): 054001-1- 054001-5. [16] ?杜晓晴, 常本康. 利用梯度掺杂获得高量子效率的GaAs光电阴极[J]. 光学学报, 2005, 25(10): 1411-1414. [17] ?任玲, 常本康, 侯瑞丽, 等. 均匀掺杂GaAs材料光电子的输运性能研究[J]. 物理学报, 2011, 60(8): 087202-1-087202-7. [18] ?杨智, 邹继军. 透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究[J]. 物理学报, 2010, 59(6): 4290-4295. [19] ?高频, 张益军. 不同结构的反射式GaAs光电阴极的光谱特性比较[J].红外技术, 2011, 33(07): 429-432.
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