聚噻吩及聚3-辛基噻吩结构与导电性能研究

采用化学氧化法在不同温度下制备聚噻吩和聚3辛基噻吩，通过红外光谱（FTIR）,X衍射分析（XRD），核磁共振谱图（NMR），X光电子能谱（XPS）和紫外可见光谱（UVVis）等手段对聚合物进行了研究.结果表明，聚噻吩侧链基团和制备温度会影响聚合物的构型结构，引起聚合物结晶度的变化.聚3-辛基噻吩结晶度最低，低温制备的聚噻吩结晶度最高.导电性能研究表明，聚噻吩的构型结构和结晶度直接影响其电导率.