两步法制备性能优良的ZnO纳米线
, PP. 135-140
Keywords: ZnO纳米线,光致发光,场发射,ZnO纳米线,光致发光,场发射
Abstract:
利用热蒸发和溶液浸泡两步法制备了性能优良的ZnO纳米线，研究了这些ZnO纳米线的光致发光和场发射特性.与直接采用热蒸发方法生长的ZnO纳米线相比，由该方法得到的ZnO纳米线表现出了更好的紫外发光特性，同时发生5nm的蓝移，场发射测试表明其开启电场和阈值电场分别达到2.3V/μm和6.8V/μm.该方法适用于制备光致发光和场发射性能优良的ZnO纳米线.
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