InAs/GaSbII类超晶格中波红外探测器

InAs/GaSbII类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器，其优越性表现在高量子效率和高工作温度，以及良好的均匀性和较低的暗电流密度，因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺，包括生长温度和快门顺序等，获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料，X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″，晶格失配Δa/a=1.5×10-4。研制的p?鄄i?鄄n单元探测器在77？K温度下电流响应率达到0.48A/W，黑体探测率为4.54×1010cmHz1/2W，峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W。