均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究

根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试，模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程，在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正，建立了三偶极子模型。新模型认为，光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成，第一偶极层由GaAs（Zn）-——Cs+偶极子组成，第二偶极层由Cs2O偶极子组成，第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成，第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果，确立了势垒中分段均匀的电势分布，计算得出势垒宽度为1.65nm，有效电子亲和势为-0.44eV。新模型的建立对理解光电阴极表面发射机理具有重要意义。