InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀

分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP（InductivelyCouplePlasma）刻蚀。结果表明，两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系；在2mTorr气压下，RF功率为50W，SiCl4流量为3sccm，Ar为9sccm时，刻蚀速率为100nm/min，且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明，SiCl4/Ar作为刻蚀气体时，Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响，但Ar的流量越大，刻蚀的均匀性越好；用Cl2/Ar作为刻蚀气体时，刻蚀速率也是100nm/min，但Ar流量对刻蚀速率有影响：当Ar流量小于3sccm时，刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。