中红外激？相位匹配GaAs晶体的制备工艺

极化方向周期排列的GaAs通过准相位匹配方式能够实现高功率CO2激光器倍频，利用晶片键合技术对GaAs极化方向反转堆叠的制备工艺和键合性能进行研究，采用氢离子轰击的方法去除GaAs表面氧化物，提高光学性能，超高真空中预键合减少界面微气孔密度，退火处理增加键合力，实现了双层GaAs的可靠键合，两层GaAs成为一块单晶结构的整体，利用键合技术获得了大通光孔径、低光学损耗的周期性结构GaAs晶体，为实现高功率CO2激光器倍频提供了途径。