近红外单光子读取电路

近红外单光子读取电路读取盖革模式下的雪崩光电二极管雪崩信号。采用两个ps级的可编程ECL延时芯片，获得可调的门控脉冲，控制雪崩光电二极管（APD）死时间和淬灭雪崩信号，同时减少后脉冲的影响。详细介绍了门控脉冲产生模块、死时间控制模块以及雪崩信号提取电路。主要采用延迟鉴别、边沿锁存的方法提取雪崩光电二极管雪崩信号。在整个实验过程中，雪崩光电二极管工作温度为-55℃，脉冲宽度10ns，门控频率1MHz和10MHz，激光器激光波长1550nm，单光子探测器是PGA-400InGaAs雪崩光电二极管。