离子束溅射制备氧化物薄膜沉积速率调整方法

采用正交试验设计方法，系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数（基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量）之间的关联性。采用正交表L9（34）设计了9组实验，采用时间监控的离子束溅射沉积方法，分别制备HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜，并对三种薄膜的27个样品采用椭圆偏振法测量并计算物理厚度，继而获得沉积速率。实验结果表明：对Ta2O5和SiO2薄膜沉积速率影响的工艺参数相同，影响权重从大到小依次为离子束流、离子束压、氧气流量和基板温度；对HfO2薄膜沉积速率影响的工艺参数按权重从大到小依次为离子束流、离子束压、基板温度和氧气流量。研究结果为调整HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜沉积速率提供了依据。