InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的IV特性研究

采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs（8ML）/GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管。经过（NH4）2S表面钝化后的IV特性曲线表明：低的正偏压下，理想因子n在2左右，势垒区的复合电流起主要作用；偏压超过0.14V时，n在1左右，少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的III族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后，表面漏电大大减小，反偏漏电流密度降低三个数量级，零偏阻抗R0达到106欧姆，R0A达到103量级。