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本文考虑了结空间电荷区的影响,在耗尽近似下,导出了PN结红外光伏探测器I-V特性和探测率D_λ~*的解析式,并用所得结果分析了偏压、光吸收系数、少子体寿命和表面复合速度对厚基区InSb光伏探测器D_λ~*的影响。
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