InSb多元器件的工艺研究

InSb多元器件的制作较复杂,其中某些关键工艺对器件的性能,成品率及可靠性影响极大。为了找到一种适用于InSb多元器件制作的较理想的工艺流程,本文对这些关键工艺进行了一系列的研究和分析,获得了满意的结果。扩散工艺即成结是制作多元器件的重要一步,扩散结的好坏,均匀性、结深选择是否适当,对器件的特性有决定性影响。器件的量子效率,光电流和反向饱和电流与结深有直接的