异质结瞬态电容现象的研究

对CdS-CuInSe_2异质结电容现象的理论分析表明,在断开正偏压脉冲V_p后,直流反偏压V_(dc)使施主电离,电离产生的电子先被陷阱俘获,然后又通过隧道效应重新与电离了的施主复合,这一复合过程和异质结区域中的电子漂移导致了瞬态电容现象。我们的理论结果与实验结果相当一致。