He—Ne激光辐照甜橙种子后对其细胞学影响的研究

用22.6J/cm~2、45J/cm~2、90J/cm~2的He-Ne激光辐照甜橙种子,通过检查根尖、茎尖有丝分裂中染色体的行为,发现经辐照的材料有丝分裂异常率均高于对照组.在辐照剂量内,异常率随辐照剂量的增加而提高.实验还表明,经辐照的材料,有的细胞染色体数目成倍增加,细胞有丝分裂后期表现异常,同时,还出现多极分裂现象和间期细胞出现微核等细胞学效应.