HgCdTe共振缺陷态的电容谱研究

提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10~(16)～4×10~(17)cm~(-3)的P型HgCdTeMIS样品的C-V曲线.对浓度约10~(17)cm~(-3)的强P型Hg_0.79Cd_0.21Te体材料样品,在C-V曲线上耗尽区和反型层交界的偏压区域观察到一个附加峰,该峰起源于导带底以上45meV的一个共振缺陷态,分析表明是氧占据Hg空位的杂质缺陷态.