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红外与毫米波学报 1992
分子束外延PbTe/Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te量子阱持续光电导与导带不连续Keywords: PbTe/PbSnTe,分子束外延,光电导,隧穿复合 Abstract: 从理论和实验上研究了分子束外延生长的PbTe/Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te多量子阱结构材料中的持续光电导过程.认为材料中持续光电导的衰减是依赖于隧穿协助的电子-深中心复合过程.理论计算与实验结果一致.通过对持续光电导衰减规律的理论拟合,得到了PbTe/Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te量子阱材料的导带不连续值及两类能谷间的能量差.
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