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ISSN: 2333-9721
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非掺杂InP的低温光致发光研究

Keywords: 光致发光激子磷化铟跃迁

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Abstract:

研究了2K低温下非有意掺杂InP单晶的光致发光谱,对近带边的辐射跃迁进行了仔细分析,报道了InP单晶在大功率光激发时束缚于中性施主的激子跃迁发光相对减弱、而束缚于中性受主的激子跃迁发光相对增强的现象,并探讨了其机制,确认了材料中存在Mg、Zn等残余受主杂质,并计算得到Mg受主的离化能为41.5meV.

 References

[1]  Cheng J S，J Appl Phys，1988年，64卷，12期，6662页
[2]  吴灵犀，半导体学报，1984年，5卷，2期，132页
[3]  王绍渤，应用科学学报，1984年，2卷，3期，267页

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